EM6K31GT2R
Número de pieza:
EM6K31GT2R
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Proveedor Dispositivo Paquete EMT6
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 250mA
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 1mA
- Potencia - Máx 120mW
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 15pF @ 25V
- FET Característica Logic Level Gate, 2.5V Drive