EM6M1T2R

EM6M1T2R

Número de pieza: EM6M1T2R
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: ROHM Semiconductor
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.1A EMT6
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Estado de la Pieza Not For New Designs
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id -
  • Temperatura de Operación 150°C (TJ)
  • Configuración N and P-Channel
  • FET Característica Logic Level Gate
  • Potencia - Máx 150mW
  • Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13pF @ 5V
  • Proveedor Dispositivo Paquete EMT6
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V, 20V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100mA, 200mA