EMF8T2R
Número de pieza:
EMF8T2R
Clasificación de productos:
Matrices de transistores bipolares, preconmutadas
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS 1NPN 1NPN EMT6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Estado de la Pieza Not For New Designs
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 500nA
- Potencia - Máx 150mW
- Resistencia - Base (R1) 47kOhms
- Resistencia - Base Emisor (R2) 47kOhms
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA, 500mA
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Proveedor Dispositivo Paquete EMT6
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 50V, 12V
- Vce Saturación (Máx.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Ganancia de Corriente Continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Tipo de Transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
- Frecuencia - Transición 250MHz, 320MHz