EPC2100
Número de pieza:
EPC2100
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
EPC
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa Die
- Proveedor Dispositivo Paquete Die
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10A (Ta), 40A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V