EPC2105
Número de pieza:
EPC2105
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
EPC
Descripción:
MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Paquete / Carcasa Die
- Proveedor Dispositivo Paquete Die
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9.5A, 38A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V