EPC2106ENGRT
Número de pieza:
EPC2106ENGRT
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
EPC
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de Montaje Surface Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.7A
- Paquete / Carcasa Die
- Proveedor Dispositivo Paquete Die
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 600µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.73nC @ 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 75pF @ 50V