EPC2108
Número de pieza:
EPC2108
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
EPC
Descripción:
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Paquete / Carcasa 9-VFBGA
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Configuración 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.7A, 500mA
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
- Proveedor Dispositivo Paquete 9-BGA (1.35x1.35)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V, 100V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V