EPC2110
Número de pieza:
EPC2110
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
EPC
Descripción:
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.4A
- Paquete / Carcasa Die
- Proveedor Dispositivo Paquete Die
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Source
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.8nC @ 5V
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 120V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 700µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 80pF @ 60V