EPC2252
Número de pieza:
EPC2252
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Disipación de Potencia (Máx.) -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8.2A (Ta)
- Paquete / Carcasa Die
- Proveedor Dispositivo Paquete Die
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.3 nC @ 5 V
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (Máx.) +6V, -4V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 2.5mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11mOhm @ 11A, 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 576 pF @ 50 V