EPC2619ENGRT

EPC2619ENGRT

Número de pieza: EPC2619ENGRT
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: EPC
Descripción: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Disipación de Potencia (Máx.) -
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 5V
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa Die
  • Proveedor Dispositivo Paquete Die
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V
  • Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
  • Vgs (Máx.) +6V, -4V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1180 pF @ 50 V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 29A (Ta)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 5.5mA
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 16A, 5V