F415MR12W2M1B76BOMA1
Número de pieza:
F415MR12W2M1B76BOMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1200V 75A AG-EASY1B
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 75A (Tj)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Proveedor Dispositivo Paquete AG-EASY1B-2
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 15mOhm @ 75A, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.55V @ 30mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 186nC @ 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5520pF @ 800V