F417MR12W1M1HB76BPSA1
Número de pieza:
F417MR12W1M1HB76BPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
LOW POWER EASY
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Potencia - Máx -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 45A
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Configuración 4 N-Channel
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 62.5A, 18V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 200nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6050pF @ 800V
- FET Característica Silicon Carbide (SiC)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.15V @ 20mA