F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
Número de pieza:
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 35A
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 39.4mOhm @ 35A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.45V @ 1.74mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 141nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6950pF @ 400V