F46MR20W3M1HB11BPSA1
Número de pieza:
F46MR20W3M1HB11BPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
EASY STANDARD PLUS
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Potencia - Máx -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Configuración 4 N-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 2000V (2kV)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.15V @ 112mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 24100pF @ 1.2kV
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 160A, 18V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 780nC @ 3V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 135A (Tj)