FBG10N05ASH
Número de pieza:
FBG10N05ASH
Clasificación de productos:
FETs de RF, MOSFETs
Fabricante:
EPC Space, LLC
Descripción:
GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Grado -
- Calificación -
- Frecuencia -
- Voltaje - Clasificado 100 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 4-SMD
- Ganancia -
- Paquete / Carcasa 4-SMD, No Lead
- Potencia - Salida -
- Cifra de Ruido -
- Configuración N-Channel
- Voltaje - Prueba 50 V
- Tecnología GaN HEMT
- Corriente nominal (amperios) 250µA
- Corriente - Prueba 5 A