FBG30N04CSH
Número de pieza:
FBG30N04CSH
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
EPC Space, LLC
Descripción:
MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 4-SMD
- Potencia - Máx -
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Paquete / Carcasa 4-SMD, No Lead
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 300V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2.6nC @ 5V
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 404mOhm @ 4A, 5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.8V @ 600µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 450pF @ 150V