FDC6301N_G
Número de pieza:
FDC6301N_G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Proveedor Dispositivo Paquete SuperSOT™-6
- Paquete / Carcasa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Potencia - Máx 700mW
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 220mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9.5pF @ 10V