FDC8602
Número de pieza:
FDC8602
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Proveedor Dispositivo Paquete SuperSOT™-6
- Paquete / Carcasa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.2A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1.2A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 70pF @ 50V
- Potencia - Máx 690mW