FDD4685
Número de pieza:
FDD4685
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
UMW
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 25 nC @ 5 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 69W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252 (DPAK)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8.4A (Ta), 32A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 27mOhm @ 8.4A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2380 pF @ 20 V