FDD86069-F085
Número de pieza:
FDD86069-F085
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 19 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252 (DPAK)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10.9A (Ta), 51A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 19.5A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 109µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1332 pF @ 50 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 68.2W (Tc)