FDMD8430

FDMD8430

Número de pieza: FDMD8430
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: onsemi
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8PQFN
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 90nC @ 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 28A (Ta), 95A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.12mOhm @ 28A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5035pF @ 15V
  • Potencia - Máx 2.1W (Ta), 29W (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-PQFN (3.3x5)