FDMD85100
Número de pieza:
FDMD85100
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 10.4A POWER56
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10.4A
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 31nC @ 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete Power56
- Potencia - Máx 2.2W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 10.4A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2230pF @ 50V