FDMD8530
Número de pieza:
FDMD8530
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 35A POWER56
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete Power56
- Potencia - Máx 2.2W
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 35A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 35A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 149nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 10395pF @ 15V