FDMD8560L
Número de pieza:
FDMD8560L
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 22A, 10V
- Potencia - Máx 2.2W
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-Power 5x6
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 22A, 93A
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 128nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 11130pF @ 30V