FDMD86100
Número de pieza:
FDMD86100
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 30nC @ 10V
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Source
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10A
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 10A, 10V
- Potencia - Máx 2.2W
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2060pF @ 50V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-Power 5x6