FDMD8900
Número de pieza:
FDMD8900
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 35nC @ 10V
- Potencia - Máx 2.1W
- Paquete / Carcasa 12-PowerWDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 12-Power3.3x5
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 19A, 17A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4mOhm @ 19A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2605pF @ 15V