FDMQ8203
Número de pieza:
FDMQ8203
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- FET Característica Logic Level Gate
- Potencia - Máx 2.5W
- Configuración 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5nC @ 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.4A, 2.6A
- Paquete / Carcasa 12-WDFN Exposed Pad
- Proveedor Dispositivo Paquete 12-MLP (5x4.5)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V, 80V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 210pF @ 50V, 850pF @ 40V