FDMS1D2N03DSD
Número de pieza:
FDMS1D2N03DSD
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 19A 8PQFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PQFN (5x6)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
- Potencia - Máx 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)