FDMS3606AS
Número de pieza:
FDMS3606AS
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A 8PQFN
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Potencia - Máx 1W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.7V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PQFN (5x6)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 29nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1695pF @ 15V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 13A, 27A