FDMS3669S
Número de pieza:
FDMS3669S
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PQFN (5x6)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 24nC @ 10V, 34nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
- Potencia - Máx 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)