FDR8308P
Número de pieza:
FDR8308P
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Proveedor Dispositivo Paquete SuperSOT™-8
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.2A
- Paquete / Carcasa 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
- Potencia - Máx 800mW
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 19nC @ 4.5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.2A, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1240pF @ 10V