FDS3601
Número de pieza:
FDS3601
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Potencia - Máx 900mW
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.3A
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 480mOhm @ 1.3A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 153pF @ 50V