FDS6675BZ-G

FDS6675BZ-G

Número de pieza: FDS6675BZ-G
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: onsemi
Descripción: MOSFET P-CHANNEL SINGLE 30V 11A
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
  • Tipo de FET P-Channel
  • Disipación de Potencia (Máx.) 1W (Ta)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 62 nC @ 10 V
  • Vgs (Máx.) ±25V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11A (Ta)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 13mOhm @ 11A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2470 pF @ 15 V