FDS6680A-NBBI005A
Número de pieza:
FDS6680A-NBBI005A
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Disipación de Potencia (Máx.) 1W (Ta)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 23 nC @ 5 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 12.5A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1620 pF @ 15 V