FDS6982AS_G
Número de pieza:
FDS6982AS_G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Potencia - Máx 900mW
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6.3A, 8.6A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V