FDS8958B_G

FDS8958B_G

Número de pieza: FDS8958B_G
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: onsemi
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración N and P-Channel
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Potencia - Máx 900mW
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6.4A, 4.5A
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 540pF @ 15V, 760pF @ 15V