FF06320B
Número de pieza:
FF06320B
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
fastSiC
Descripción:
SICFET N-CH 650V 8.6A PQFN5x6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Disipación de Potencia (Máx.) 41W (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8.6A (Tc)
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (Máx.) +18V, -8V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PQFN (5x6), Power56
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Paquete / Carcasa 9-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 420mOhm @ 2A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.6V @ 4mA (Typ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 14.5 nC @ 400 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 318 pF @ 400 V