FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Número de pieza:
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Proveedor Dispositivo Paquete AG-EASY1BM-2
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 150A (Tj)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 150A, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.55V @ 90mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 450nC @ 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 16000pF @ 600V