FF11MR12W2M1HB70BPSA1
Número de pieza:
FF11MR12W2M1HB70BPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
LOW POWER EASY
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 75A (Tj)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6600pF @ 800V
- FET Característica Silicon Carbide (SiC)