FF2000UXTR33T2M1BPSA1
Número de pieza:
FF2000UXTR33T2M1BPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33
Embalaje:
Box
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Potencia - Máx -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 3300V (3.3kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 925A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 1kA, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.55V @ 900mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5000nC @ 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 203000pF @ 1.8kV
- Proveedor Dispositivo Paquete AG-XHP2K33