FF3MR12KM1HHPSA1
Número de pieza:
FF3MR12KM1HHPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Embalaje:
Box
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Potencia - Máx -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 190A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete AG-62MMHB
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.44mOhm @ 280A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.1V @ 112mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 800nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 24200pF @ 800V