FF3MR12KM1HOSA1
Número de pieza:
FF3MR12KM1HOSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 375A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete AG-62MM
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.83mOhm @ 375A, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.15V @ 168mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1000nC @ 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 29800pF @ 25V