FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Número de pieza:
FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
LOW POWER EASY
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 200A
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.15V @ 80mA
- FET Característica Silicon Carbide (SiC)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4mOhm @ 200A, 18V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 594nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 17600pF @ 800V