FF6MR12W2M1HB11BPSA1
Número de pieza:
FF6MR12W2M1HB11BPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Potencia - Máx -
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 145A (Tj)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 150A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.15V @ 60mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 446nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13200pF @ 800V