FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
Número de pieza:
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100A (Tj)
- Proveedor Dispositivo Paquete AG-EASY1B
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.15V @ 40mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 297nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8800pF @ 800V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 100A, 18V