FQA62N25CPWD
Número de pieza:
FQA62N25CPWD
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 2
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 250 V
- Paquete / Carcasa TO-3P-3, SC-65-3
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 130 nC @ 10 V
- Vgs (Máx.) ±30V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 62A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3PN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 35mOhm @ 31A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6280 pF @ 25 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 298W (Tc)