FS03MR12A6MA1LB
Número de pieza:
FS03MR12A6MA1LB
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Configuración 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Proveedor Dispositivo Paquete AG-HYBRIDD-2
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 400A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 400A, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.55V @ 240mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1320nC @ 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 42600pF @ 600V