FS13MR12W2M1HB70BPSA1
Número de pieza:
FS13MR12W2M1HB70BPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 6N-CH 1200V 62.5A
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- Temperatura de Operación -
- FET Característica -
- Tipo de Montaje -
- Paquete / Carcasa -
- Configuración 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 62.5A (Tc)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 62.5A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.15V @ 28mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 200nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6050pF @ 800V