G040P02T
Número de pieza:
G040P02T
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 90A 125W TO-220
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Disipación de Potencia (Máx.) 125W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20 V
- Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 90A (Tc)
- Vgs (Máx.) ±12V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 2.5V, 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 134 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9457 pF @ 10 V