G06NP06S2
Número de pieza:
G06NP06S2
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
- Potencia - Máx 2W (Tc), 2.5W (Tc)